Mosfet n fet tranzistor 2sk2545
Pro vyhledávací frázi Mosfet n fet tranzistor 2sk2545 jsme na našem vyhledávači našli 24 výsledků. Nenašli jste přesně to, co jste hledali? Zkuste frázi Mosfet n fet tranzistor 2sk2545 trochu pozměnit a opět zadat do vyhledávacího pole. Pevně věříme, že produkt, který hledáte v naší nabídce na srovnávači CoChceš.cz naleznete!
Mosfet N-FET tranzistor 2SK2545
<p style="margin: 0px 0px 20px; padding: 0px; border: 0px; line-height: 20px; color:...
Více informací
2SK2917 Mosfet N-FET tranzistor
2SK2917 Mosfet N-FET tranzistor N-FET 500V 18A 90W 0J21 Mosfet N-FET tranzistor 2SK2917 Výrobce TOSHIBA Semiconductor Typ N-FET Provedení SOT93 Napětí (Vce, Vds) 500 V Proud 18,0 A Výkon P_max 90,0 W Odpor R_ds 0,210 Ohm 9977514
Více informací
2SK2917 Mosfet N-FET tranzistor
N-FET 500V 18A 90W 0J21 Mosfet N-FET tranzistor 2SK2917 Výrobce TOSHIBA Semiconductor Typ N-FET Provedení SOT93 Napětí (Vce, Vds) 500 V Proud 18,0 A Výkon P_max 90,0 W Odpor R_ds 0,210 Ohm
Více informací
IRLB3034PBF tranzistor mosfet
N - FET 40V, Idss 343 A, Pd 375 W, Rds 0,0017 Ohm TO220 Unipolární tranzistor, N kanál, THT, 40V, 343A, 375W, TO220AB IRLB3034PBF
Více informací
IRF540 MOSFET tranzistor
N-FET 100V 28A 150W 0J077 Výkonový MOSFET IRF540PBF IRF540 (IRF540PBF) MOSFET tranzistor od výrobce Visahy - Jedná se o třetí generaci výkonových MOSFETů od Vishay Technické parametry: Typ pouzdra: TO-220AB Výrobce: VISHAY dříve International Rectifier Polarita: n-kanál Typ připojení: Průchozí instalace V souladu s ROHS: Ano Maximální pracovní napětí: 100V Kapacita: ...
Více informací
IRF540 MOSFET tranzistor
IRF540 MOSFET tranzistor N-FET 100V 28A 150W 0J077 Výkonový MOSFET IRF540PBF IRF540 (IRF540PBF) MOSFET tranzistor od výrobce Visahy - Jedná se o třetí generaci výkonových MOSFETů od Vishay Technické parametry: Typ pouzdra: TO-220AB Výrobce: VISHAY dříve International Rectifier Polarita: n-kanál Typ připojení: Průchozí instalace V souladu s ROHS: Ano Maximální pracovní nap...
Více informací
RENESAS 2SK1317 Tranzistor unipolární N-FET 1,5kV 2,5A 100W SOT93
Tranzistor: N-MOSFET unipolární 1500V 2,5A 100W TO3P
Více informací
ST MICROELECTRONICS STW45NM50 Tranzistor unipolární N-FET 550V 45A TO247
Tranzistor: N-MOSFET unipolární 500V 28,4A 390W TO247
Více informací
NEXPERIA PSMN4R0-40YS Tranzistor N-FET, TrenchMOS unipolární 40V 100A SOT669
Tranzistor: N-MOSFET unipolární 40V 100A 106W SOT669
Více informací
8R1K0CE N-CHANNEL MOSFET, 800V 5,7A tranzistor
8R1K0CE N-CHANNEL MOSFET, 800V 5,7A tranzistor N-FET 800V 5.7A 32W 0J950 IPA80R1K0CE Infineon 8R1K0 8R1K0CE IPA80R1K0CE Infineon 800V CoolMOS™ CEje řada vysoce výkonných zařízení Infineon nabízející 800 voltové průrazné napětí. CE se zaměřuje na aplikace spotřební elektroniky a také na osvětlení. Nová výběrová řada 800V se konkrétně zaměřuje na aplikace LED. S touto speci...
Více informací
8R1K0CE N-CHANNEL MOSFET, 800V 5,7A tranzistor
N-FET 800V 5.7A 32W 0J950 IPA80R1K0CE Infineon 8R1K0 8R1K0CE IPA80R1K0CE Infineon 800V CoolMOS™ CEje řada vysoce výkonných zařízení Infineon nabízející 800 voltové průrazné napětí. CE se zaměřuje na aplikace spotřební elektroniky a také na osvětlení. Nová výběrová řada 800V se konkrétně zaměřuje na aplikace LED. S touto specifickou řadou CoolMOS™ kombinuje Infineon dlouh...
Více informací
IRFIBC40G tranzistor
N-FET 600V 4A 30W 2J1 IRFIBC40G Power MOSFET - Vishay N-MOSFET 600V, 6.2A, 125W, 1R TO220
Více informací
IRFIBC40G tranzistor
IRFIBC40G tranzistor N-FET 600V 4A 30W 2J1 IRFIBC40G Power MOSFET - Vishay N-MOSFET 600V, 6.2A, 125W, 1R TO220 3373163
Více informací
STP10NK60Z STMicroelectronics tranzistor
STP10NK60Z STMicroelectronics tranzistor N-FET 600V 10A 115W 0J75 Výrobce STMicroelectronics Typ tranzistoru N-MOSFET Technologie SuperMesh™ Polarizace unipolární Napětí drain-source 600V Proud drainu 5.7A Ztrátový výkon 115W Pouzdro TO220-3 Napětí gate-source ±30V Odpor v sepnutém stavu 750m? 3871768
Více informací
STP10NK60Z STMicroelectronics tranzistor
N-FET 600V 10A 115W 0J75 Výrobce STMicroelectronics Typ tranzistoru N-MOSFET Technologie SuperMesh™ Polarizace unipolární Napětí drain-source 600V Proud drainu 5.7A Ztrátový výkon 115W Pouzdro TO220-3 Napětí gate-source ±30V Odpor v sepnutém stavu 750mΩ
Více informací
2SK2750 Toshiba
2SK2750 Toshiba N-FET 600V 3.5A 35W 2J2 Tranzistor MOSFET N 3,5A / 600V 35W TO220 2 SK 2750 výrobce Toshiba 3772885
Více informací
IRLR2705
IRLR2705 N-FET 55V 28A 68W 0J04 Tranzistor N-channel MOSFET IRLR2705 28A 55V - na tranzistoru je pouze značení LR2705 Q517038
Více informací
2SK2750 Toshiba
N-FET 600V 3.5A 35W 2J2 Tranzistor MOSFET N 3,5A / 600V 35W TO220 2 SK 2750 výrobce Toshiba
Více informací
IRLR2705
N-FET 55V 28A 68W 0J04 Tranzistor N-channel MOSFET IRLR2705 28A 55V - na tranzistoru je pouze značení LR2705
Více informací
FQPF5N60C
N-FET 600V 4,5A 33W 2J0 FQPF5N60C tranzistor Technologie Power MOSFET N-Channel, QFET®, Napětí 600 V Proud 4.5 A Přechod 2 Ω Pouzdro TO-220F
Více informací
FQPF5N60C
FQPF5N60C N-FET 600V 4,5A 33W 2J0 FQPF5N60C tranzistor Technologie Power MOSFET N-Channel, QFET®, Napětí 600 V Proud 4.5 A Přechod 2 ? Pouzdro TO-220F 9979440
Více informací
3SK73 GR / 3SK73GR ( občas chybně identifikováno jako 2SK73GR )
N-FET / MOS-FET 20V 30mA 0,3W Idss = 6 - 14mA Speciál pro nízkošumové VHF použití. Originál výrobek ze starší produkce Toshiba pro opravy historických elektronických zařízení. Hodnota proudu Idss = 6 - 14mA. Není přímo zaměnirelný za tranzistor s jiným indexem ( Y nebo BL - liší se proudem Idss ) Byl používán v nejvyšší třídě FM tunerů na pozici vstupního nebo mix ...
Více informací
3SK73 GR / 3SK73GR ( občas chybně identifikováno
3SK73 GR / 3SK73GR ( občas chybně identifikováno jako 2SK73GR ) N-FET / MOS-FET 20V 30mA 0,3W Idss = 6 - 14mA Speciál pro nízkošumové VHF použití. Originál výrobek ze starší produkce Toshiba pro opravy historických elektronických zařízení. Hodnota proudu Idss = 6 - 14mA. Není přímo zaměnirelný za tranzistor s jiným indexem ( Y nebo BL - liší se proudem Idss ) Byl používán...
Více informací
IRLR3705ZPBF
HEX-FET 55V 89A 130W Výrobce INTERNATIONAL RECTIFIER Typ tranzistoru N-MOSFET Polarizace unipolární Druh tranzistoru HEXFET Napětí drain-source 55V Proud drainu 89A Výkon 130W Pouzdro DPAK Napětí gate-source 16V Odpor v sepnutém stavu 8m? Tepelný odpor přechod-pouzdro 1.14K/W Montáž SMD Náboj hradla 44nC Poznámka: Často se používá jako náhrada za tranzisto...
Více informací
Podobné fráze: nexperia pmv20xner tranzistor n mosfet | nexperia 2n7002pw 115 tranzistor n mosfet | nexperia pmf63unex tranzistor n mosfet | onsemi ntjd4001nt1g tranzistor n mosfet | toshiba tranzistor mosfet 2sk2917 n kanal | ixys ixtq34n65x2m tranzistor n mosfet | ixys ixtq48n65x2m tranzistor n mosfet | onsemi fqa13n80 f109 tranzistor n mosfet | vishay irfbc20pbf tranzistor n mosfet | bridgelux bxp4n65u tranzistor n mosfet | ixys ixtp12n70x2 tranzistor n mosfet | ixys ixta4n70x2 tranzistor n mosfet | vishay irfbe20pbf tranzistor n mosfet | bridgelux bxp2n20l tranzistor n mosfet | bridgelux bxs049n08p tranzistor n mosfet | vishay sir422dp t1 ge3 tranzistor n mosfet | ixys ixty14n60x2 tranzistor n mosfet | ixys ixtu4n70x2 tranzistor n mosfet | onsemi fdp083n15a f102 tranzistor n mosfet | onsemi bs170 d75z tranzistor n mosfet | ixys ixtp14n60x2 tranzistor n mosfet | nexperia pmv50xpr tranzistor p mosfet | onsemi fda59n25 tranzistor n mosfet | bridgelux bxp4n65f tranzistor n mosfet | onsemi fqp5n60c tranzistor n mosfet | onsemi fdd770n15a tranzistor n mosfet | vishay irf540spbf tranzistor n mosfet | onsemi fdn537n tranzistor n mosfet | vishay irf840lcpbf tranzistor n mosfet | vishay irfpc50apbf tranzistor n mosfet | nexperia pmv35eper tranzistor p mosfet | bridgelux bxt330n06d tranzistor n mosfet | bridgelux bxs1150n10m tranzistor n mosfet | onsemi fdp047n08 f102 tranzistor n mosfet | vishay si2308bds t1 e3 tranzistor n mosfet